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晶圓壓膜機的壓膜流程

來源: 瀏覽: 發布日期:2021-03-12 15:00:59
信息摘要:
  晶圓壓膜機的壓膜流程  涂布第一層聚合物薄膜(Polymer Layer ) ,以加強芯片的鈍化層( Passivation ) ,起到應力緩沖的作用。目前*常用的聚合物薄膜是光敏性聚酰亞胺(

  晶圓壓膜機的壓膜流程

  涂布第一層聚合物薄膜(Polymer Layer ) ,以加強芯片的鈍化層( Passivation ) ,起到應力緩沖的作用。目前*常用的聚合物薄膜是光敏性聚酰亞胺( Photo-sensitive Polyimide ) ,簡稱PI,是一種負性膠。

  早期的WLP選用BCB ( Benzocyclobutene,苯并環丁烯)作為重布線的聚合物薄膜,但受制于低機械性能(低斷裂伸長率和拉伸強度)和高工藝成本(需要打底粘合層adhesion promoter ) ,促使材料商開發PI和PBO ( Polybenzoxazole,聚苯并嗯唑)。

  涂布第二層Polymer,使圓片表面平坦化并保護RDL層。第二層Polymer經過光刻后開出新焊區的位置??谧詈笠坏澜饘賹邮荱BM ( Under Bump Metalization,球下金屬層),采用和RDL—樣的工藝流程制作。

  植球。順應無鉛化環保的要求,目前應用在WLP的焊料球都是錫銀銅合金。焊料球的直徑一般為

  250 m。為了保證焊膏和焊料球都準確定位在對應的UBM上,就要使用掩模板。焊料球通過掩模板的開孔被放置于UBM 上,最后將植球后的硅片推入回流爐中回流,焊料球經回流融化與UBM形成良好的浸潤結合。

   而以上的流程正式我們ELT真空壓膜機的關鍵功能所在。

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